二极管反向阻断和正向通态电压
　　
　　如图l•1所示，二极管生产厂家提供的反向阻断电压(UR)和正向通态电压(UF)的数值为温度25℃时的值。当温度变低时，反向阻断能力下降。例如，对于一个1200V的二极管来说，它的下降率为1.5V/K。元件在低于室温的情况下运行时，性能就会发生变化。

　　
　　当温度高于室温时，反向阻断电压相应上升，漏电流也同时上升。因此，通常参数表中还会给出高温下的漏电流值(125℃或150℃)。对于采用了金扩散工艺的元件来说，它们的漏电流上升得特别快。如果系统由于元件的损耗而工作在高温下，则有可能引发温升失衡。
　　
　　正向通态电压UF表示在给定电流的情况下，二极管在导通状态下的电压应小于某给定的临界值。一般，这个值是在室温下测得的。但决定系统损耗的主要因素之一却是高温时的正向通态电压。因此，在所有的参数表中又给出了它对温度的依赖性。
　　
　　1.正向特性
　　
　　在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为"门槛电压"，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V。)以后，二极管才能真正导通。导通后，二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)，称为二极管的"正向电压"。
　　
　　2.反向特性
　　
　　在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值时，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
　　
　　1.1.4U峪电路申IGBT的续流二极管过压损坏的原因
　　
　　功率二极管的开通特性如图1.2所示。在二极管进入导通状态的过程中，电压首先升至URFM，即可重复的正向峰值电压，然后才降至正向通态电压的水平。

　　
　　但对于用在IGBT中的续流二极管来说，上述开通特性并不能说明问题，原因如下:
　　
　　(1)开通电流的上升率di/dt会很高，以至于一个1700V二极管的Uufm会达到200-300V。这个数值是UF，的100倍以上。
　　
　　(2)在实际应用过程中，二极管是由截止状态进入导通状态，由此产生的UFM要比由零电压进人导图1•2功率二极管的开通特性通状态高出许多。
　　
　　对于缓冲二极管来说，因为缓冲电路只有在二极管导通之后才能发挥作用，所以较低的U，M是它最重要的指标之一。即使对于反向阻断电压大于12OOV的续流二极管来说，可重复的正向峰值电压也有着重要的作用。在IGBT关断时，线路的寄生电感会感应出一个电压尖峰，这个电压尖峰叠加于续流二极管的URFM。之上，二者之和可能导致过电压发生而损坏续流二极管。