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IBM携手镁光共同开发混合存储立方HMC

来源:小熊在线 作者:Randy编辑 更新时间:2011-12-7 11:56:13

摘要:镁光将与IBM合作,并使用IBM提供的TSV技术(硅穿孔)来开发混合存储立方(HMC)芯片,如果量产成功,将带来存储技术的革命。

  镁光将与IBM合作,并使用IBM提供的TSV技术(硅穿孔)来开发混合存储立方(HMC)芯片,如果量产成功,将带来存储技术的革命。
  
  由于在存储芯片堆叠时使用了TSV技术,相同面积的芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。与此同时,由于采用了某些内建机制,传输数据消耗的能量将减少70%,传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。现有产品原型的带宽就已高达128GB/s,为高端DDR3闪存传输速度的10倍,最终成品还会更高。


  IBM会在纽约州东菲什基尔(EastFishkill)的工厂,加工将采用IBM的32nmHKMG工艺,有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。
  
  根据官方解释,HMC内存最初将定位于工业企业服务器市场,但随着技术的发展和成本的降低终将进入消费级市场。
  
  责任编辑:Randy

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