摘要：韩国三星公司近日宣布将开始量产基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的32GB内存条，这款内存条产品将主要面向云计算以及高档服务器应用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3产品，三星30nm制程4Gb DDR3内存芯片的产出量可提升大约50%。

在一年前启动40nm级别制程4Gb DDR3内存芯片的量产后，三星于今年2月份已经开始量产30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片产品，两个月之后的四月份，三星又推出了总容量16GB的DDR3内存条产品，这种产品主要面向面向服务器制造商。

另外，不久前三星还刚刚推出了基于30nm制程4Gb密度的LPDDR2内存芯片产品（面向移动设备）。而本月三星又推出了基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的这款32GB总容量的带寄存器双线（RDIMM）内存条,以及8GB容量的笔记本用SODIMM内存条。其基于30nm制程内存芯片的产品线基本已经完备。

三星这次推出的新款32GB容量RDIMM DDR3内存条额定工作电压1.35V，峰值数据传输率1866Mbit/s，性能比40nm制程32GB RDIMM内存条的1333Mbit/s（工作电压1.5V）提升了50%。另外，8GBSO-DIMMDDR3内存条的工作电压则为1.5V，峰值数据传输率为2133Mbit/s。

据三星预计，2012年三星将有10%的内存芯片产品是基于4Gb及更高容量密度的芯片。

据IHS市调公司的统计，4Gb内存芯片的销量到2012年的市场占有率将达到10%左右，13/14年这个数字则将先后提升至35%和57%。

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