摘要：日前，SanDisk公司和东芝公司联手研发制造了世界上第一个48层的3DNAND芯片，该芯片可以存储256Gb(32GB)的数据。这种更致密的存储器芯片将会让固态硬盘具有更大容量，更加便宜，以及在移动设备部署更多的嵌入式内存。

    日前，SanDisk公司和东芝公司联手研发制造了世界上第一个48层的3DNAND芯片，该芯片可以存储256Gb(32GB)的数据。这种更致密的存储器芯片将会让固态硬盘具有更大容量，更加便宜，以及在移动设备部署更多的嵌入式内存。
　　
　　新的芯片样品将于九月交付，而其第一批产品预计将在2016年上市销售。
　　
　　更好，更快，更强
　　
　　闪存是在1980年左右东芝公司发明的，而东芝公司至今一直在改善其内存芯片的性能。但根据Statista收集的数据表明，三星公司在过去的四年中一直保持领先的市场份额，这得益于其巨大的消费设备业务。三星公司也是2013年第一个开始大量生产3DNAND存储芯片的闪存厂商。
　　
　　到2014年底，SanDisk公司成为全球第三大NAND制造商，其次是美光，SK海力士和英特尔公司。新的3DNAND芯片采用了三维堆叠单元架构（BICS），这为厂商赢得了一些市场份额。
　　
　　东芝的三维BiCSNAND存结构在一个2bit/cell128Gb(16GB)的设备中堆叠了48个字线层,通过使用更薄的制程技术令每台设备的三维结构增加大量的记忆层，而不是缩减每个单元的尺寸。
　　
　　因此，除要求个别的小单元外，3DNAND允许更大面积的位密度(因而不需要高端制程)。3DNAND闪存的总收益在业内众所周知：低成本(一旦产量达到商业可行性)，高性能和可靠度。
　　
　　据其研发者表示，该BICS架构并不只是提高了存储能力，这种存储器将具有较高的写入/擦除能力，写入速度与能源效率比传统的2DNAND要高得多。
　　
　　该芯片产品将在日本四日市的东芝工厂大量生产，这个工厂将在2016年上半年开业。
　　
　　英特尔公司也能生产出256千兆3DNAND存储芯片，但只有32层，另外还有384千兆三维堆叠单元架构芯片。这两个版本的芯片都已经向客户提供样品。
　　
　　英特尔和美光公司也正在研发一种名为3DXPOINT全新的内存类型，据称比NAND闪存的存储速度和耐用性要高1000倍。
　　
　　编辑：Harris