目前的存储器种类包括最常见的动态随机存取存储器(dram)、硬盘以及闪存等。过去几年，pcm作为一种潜在的通用存储技术，因拥有良好的读写速度、耐用性以及非易失性等优势，成为存储产业的“后起之秀”。pcm在断电时不会像dram那样丢失数据，能承受至少1000万次写循环，而闪存仅能耐受3000次写循环。但由于现有内存技术的经济效益远高于新的替代技术，相变存储技术目前尚未在市场上蓬勃发展。

　　pcm材料拥有非结晶态和结晶态两个稳定的状态。为了在pcm的单元内存储“0”和“1”，先要向其施加一个高的或中等电流，“0”被编入非结晶态，“1”则被编入结晶态或者相反;再朝其施加低电压，就能读回写入的数据。2011年，ibm曾实现在单个相变存储单元中保存1个比特的数据。现在，ibm再下一城，首次成功地在单个单元内存储了3个比特数据。

　　论文作者之一哈里斯·普兹迪斯说：“相变存储是通用存储器的首个实例，这种存储器兼具dram和闪存的优势，可以解决我们目前面临的挑战。每个单元可存储3个比特的数据是一个重要的里程碑，因为在此密度下，pcm的成本将比dram低很多，接近闪存。”

　　研究人员指出，未来pcm既可以独当一面，也可作为快速缓冲贮存区，与闪存等存储方式强强联手。例如，将手机的操作系统存储在pcm内，手机则能在数秒内启动;或可将企业数据库存储在pcm内，用于处理一些如金融交易等的紧急事务。

　　总编辑圈点

　　这是存储行业的大消息。相变存储器是下一代存储器的候选者之一，因成本和技术原因，各大厂商及研究机构虽都在进行技术储备，但对大规模应用保持谨慎。ibm的这次发布，吹响了进军pcm市场的号角，如同闪存取代光盘软盘，必将掀起产业更新换代，导致企业兴衰沉浮。可预期的是，相变存储器能让pc和手机瞬间启动、让应用快速加载，避免了令人抓狂的等待，绝对会被市场追捧。当然，it圈除了比技术，还要比策略，就怕ibm这次只是虚晃一枪。

　　责任编辑：余芯