东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET_机房360

摘要：该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。

　　日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”)推出了150V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。

　　TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡(*2)和两个电荷特性(*3)，实现了优异的低损耗特点。此外，开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低，有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择，分别为：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一种更受欢迎。

　　东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE型号外，现在还推出了高精度的G2 SPICE型号，可以准确地再现瞬态特性。

　　东芝将扩大其功率MOSFET产品阵容，通过减少损耗来提高设备的供电效率，帮助降低功耗。

　　注：

　　(*1) 截至2022年3月的东芝调查。

　　(*2) 与目前的产品TPH1500CNH(U-MOSVIII-H系列)相比，该产品的漏源极导通电阻x栅极开关电荷提高了大约20%，漏源极导通电阻x输出电荷提高了大约28%。

　　(*3) 栅极开关电荷和输出电荷

　　应用领域

　　通信设备的电源

　　开关电源(高效直流-直流转换器等)

　　特点

　　优异的低损耗特性。

　　(在导通电阻和栅极开关电荷与输出电荷之间进行权衡)