摘要：晶片微缩应可在接下来的15年内持续进展，他并预测了「后CMOS时代」的接班技术。ISSCC登场，专家预测后CMOS时代接班技术。

　　一年一度的国际固态电路会议(InternationalSolidStateCircuitConference，ISSCC)日前(2月8日)在美国旧金山登场，一位在会议上发表演说的学界专家表示，晶片微缩应可在接下来的15年内持续进展，他并预测了「后CMOS时代」的接班技术。
　　
　　乔治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)旗下JosephM.Pettit微电子研究中心教授JamesMeindl在ISSCC的专题演说中表示：「在接下来的15年，我们会持续用力微缩晶片；而在硅晶片技术之外，奈米电子领域的革命性发展也许会以石墨烯(graphene)为中心演进。」
　　
　　他预测，处理器硅製程可能会微缩至7.9奈米节点，时程在2024年；而在那之前或之后，石墨烯可望实现未来的兆级运算(terascalecomputing)。
　　
　　为何是石墨烯从自旋电子(spintronics)、分子电子(molecularelectronics)等技术中脱颖而出，成为后CMOS时代结束后最有希望的接班技术？以下是Meindl所提供的六个理由？
　　
　　1.石墨烯的机械性强度-重量比(strength-to-weightratio)，超越其他所有已知的材料；
　　
　　2.其载体迁移率(carriermobility)超过200,000cm2/Vs；
　　
　　3.被称为「迪拉克费米子(Diracfermions)」的零有效质量载体与光子(photon)类似的，其速率比光速小三百倍，在微米等级的距离范围内无散射(scattering)；
　　
　　4.其电流传导密度是铜的一千倍，无电子迁移(electromigration)；
　　
　　5.在室温下的热传导性曾达到超过5,000W/mK的记录；
　　
　　6.能做为场效应电晶体(FET)的源/通道汲极，也能做为互连(interconnect)。
　　
　　不久前，美国宾州大学的研究人员才宣佈製造出4吋(100mm)石墨烯晶圆片，预告了碳IC时代不远的讯息