| 摘要：该文章内容以大量实践为基础，理论推导为依据，所提供的设计方案和计算公式实用性、科学性都很强，是广大电子工程计术人员、电子科学爱好者、电子维修人员进入开关电源技术领域的金钥匙。 |
V2为副边正激电压；
Vo为输出稳定电压；
N1为原边线圈匝数；
N2为副边线圈匝数；
N3为复位或嵌位线圈匝数；
Q为开关三极管；
D1为输出整流二极管；
D2为续流二极管；
D3为箝位二极管；
C为滤波电容器；
L为储能滤波电感。
电路的计算原则：V1→V2正向变换，V2→Vo按串联降压式开关电源式的计算方式。
（1）开关管工作频率一般选择在100～200kHz；
（2）开关脉冲的占空比D必须小于0.5，一般选择在0.4～0.45；
（3）输入电压与输出电压的关系为
Vo+△Vo=V2D，V2=V1（N2/N1）（6）
式中：△Vo包括D1压降（约0.5V）及L直流电阻压降（约0.2V），当Vo较大时，可忽略不计。
当N2/N1确定时，V1变化，可以通过改变D，保持Vo不变。
（4）原边与副边线圈匝比的计算步骤，因为N2/N1=Vo+△Vo/V1D，而且V1D为常数，所以取V1最小，、Dmax或V1最大、Dmin均可。
（5）初级线圈匝数N1，初级峰值电流I1p，初级电感L1的计算，可按下列步骤进行。首先I1p与L1的关系有
I1p=P2/V1Dη+V1Ton/L1
（7）式中：P2/V1Dη为传输给副边的功率P2所需，P2、V1、D、η均为确定值，η为变压器效率。
V1Ton/L1为激励L储能所需，V1Ton为确定值。为了尽量减少这种不必要的储能，L1应尽量设计得大些。再由于N1与I1p、L1的关系有
N1≥I1PL1/SBm
（8）这是为了保证磁芯工作不饱和所需，其中S为磁芯截面积（m2），Bm为磁芯的饱和磁通密度（T），1T=104GS，该参数由手册可查得，由式（8）可知，当I1pL1增大，相应N1亦增大，而N1的增大受到磁芯骨架线包空间的限制。
采用假设、试算的方法求取N1，L1，I1p，即设V1Ton/L1=30%I1p，求得I1p和L1再求N1。
计算出N2、N3、I1r、I2r、I3r，核算磁芯骨架空间能否容纳。
如果磁芯骨架仍然相当空，则再设V1Ton/L1=10%I1p，直到试算合适为止。
如果已经容纳不下，则增加V1Ton/L1对I1p的百分比，直到合适为止。最后求出L1和N1，计算AL=L1/N12值。
如果AL大于磁芯无间隙时的AL值，则必须减小L1，保持N1不变，使L1=ALN12（式中AL为磁芯无间隙时的值）。
如果AL小于磁芯无间隙时AL值，则必须磨气隙来保证L1值，亦可通过磁芯的“气隙与AL曲线”求得气隙的理论值。计算完成后进行实际绕制，验证设计的N1、L1值，以及N1、N2、N3的可容性。计算原边有效值电流I1r，即
V1及Ton取V1最小时的值。再确定开关三极管Q的参数，即ICEM>1.5I1p；VCEM>2V1max。
确定箝位二极管D3的参数，即IM>I3p（即V1TonL1）；
V反>2V1max确定整流二极管D1的参数，即IM>I2p（即1.1Io）；V反>1.5V1maxN2N1L、C、△Vo的计算方法与串联降压式开关电源相同。
2.3自激单端反激式开关电源
由于自激单端反激式开关电源的开关管兼作自激振荡管用，所以电路简单，在50W以下的交流输入隔离式开关电源中得到广泛应用。该形式开关电源亦称为振铃扼流变换器，简称RCC电路、调频调宽混合电路。开关频率随输入电压的增高而变高，开关频率与负载大小成反比。脉冲占空比随输入电压的增高变小，但不受负载变化的影响。
RCC的主电路如图3所示。
图中：V1为直流输入电压；
V2为原边反激电压；
V3为直流正反馈电压；
T为开关变压器；
N1为原边线圈匝数；
N2为副边线圈匝数；
N3为正反馈线圈匝数；
R1为起动电阻；
R2为限流电阻；
D为整流二极管；
C为滤波电容器；
Q为开关三极管。
RCC电路在实际应用中要复杂得多，需要增加整流滤波电路、消噪电路、反馈调控电路、保护电路、抗干扰电路等。开关电源的设计，主要是确定电路程式，选择电路中各元器件的规格型号，设计开关变压器，编排印刷电路板等。
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