摘要：PCM即相变化内存(PhaseChangeMemory)；相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体制程技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主；直到2000年后，相变化材料制作的相变化内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现。

第1页:集现有内存技术的优点于一身 第2页:应用领域广阔

　　
开发一个有效且可靠的内存零组件是PCM的成功关键。恒忆在Alverstone上首次定义并实现了一个创新的‘墙壁’结构。在数据保存期限和内存耐用性方面，Alverstone的可靠性测试结果非常出色，显示这项技术可以满足市场对可靠性的期望和目标，即便在较高的密度节点也是如此。

PCM技术研发将沿着不同的路线平行前进。为使采用BJT的单元沿着微影技术发展路线达到最小的单元尺寸，主流的开发路线将以现有技术架构的尺寸缩小为基础。除广泛使用的Ge2Sb2Te5以外，利用新的硫系合金是另外一个重要的研究领域，

　　因为这可能会开创全新的应用领域；结晶速度极快或结晶温度更高的合金将会有更好的前景。

　应用领域广阔
　　
从应用角度看，PCM适用于所有的内存系统，特别适用于消费电子、计算机、通讯三合一电子设备的内存系统。PCM特别适用于无线通信系统的程序代码执行内存。无线通信系统需要一个常驻程序码执行内存和小数据结构内存(表1)。以读取延迟短和覆写速度快为亮点，PCM特别适用于无线系统的基频和应用处理。虽然页面比较小，读取速度比DRAM慢，但是还在同一等级上。这个特性使PCM不仅适用于从低密度到高密度的各种无线系统程序代码执行内存，还是处理最常用的数据结构的理想内存解决方案。PCM的位可修改功能省去了对区块擦除的要求，同时还进一步降低了对DRAM的需求，因而可以降低内存子系统的成本。因为这些技术特色，PCM可望成为一个总体成本最低的可升级的内存子系统解决方案，同时还能满足市场对高阶多媒体无线设备的日益成长的性能需求。

    表1相变内存、浮闸非挥发性内存(EEPROM、NOR闪存和NAND闪存)和DRAM内存关键特性对比。 
 　　
对于处理频率几乎最高的数据结构，PCM还可在固态内存子系统内兼做常读内存，用于保存存取频率很高的页面，在芯片内部处理数据结构时，适用于储存比较容易管理的元素，如奇偶位、坏区块表、区块页映射表等。透过大幅降低对NAND闪存的应力，降低系统的总体成本，一颗低容量的PCM可大幅提升系统的可管理性。此外，当很多区块内都有被擦除的页面且内存子系统接近全满状态时，储存新数据需要多次擦除作业，才能释放空间给新数据。这个特性会进一步降低NAND闪存的可靠性，加速其达到耐用极限的时间。

以位可修改和高耐用性为特色，PCM可满足重负载使用的固态数据内存子系统的要求。技术成熟性、技术节点微缩前景和广泛的应用领域(可能会进一步扩展)正为PCM技术未来十年在内存市场上发挥关键作用铺平道路。

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　　什么是PCM?

PCM即相变化内存(PhaseChangeMemory)；相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体制程技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主；直到2000年后，相变化材料制作的相变化内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现。根据ITRS预测，PCM的CellSize于2011年将小于NORFlash，未来可望大规模取代NORFlash市场(全球年营业收入约72亿美元)，未来市场潜力较FeRAM和MRAM大。目前先进厂商投入PCM的研发较晚，中国台湾地区的厂商投入PCM研发者，相较于FeRAM与MRAM反而来的多，多属于DRAM挥发性内存厂商。

    责任编辑：Kelly