| 摘要：本文重点针对经常被IT电子设备用户忽略的十分严重的问题----损害数据中心IT电子设备数据可靠性的零地电压共模噪声问题进行分析。其中，共模噪声定义来自美国军方标准MIL-HDBK-419A，另外有关“尽量减小在负载端测得零地电压”的要求以及控制零地电压方法来自IEEE1100-2005 EMERALD BOOK有关章节。 |
零地电压产生的原因
有关零地电压共模噪声定义，根据美国军方标准MIL-HDBK-419AStandard定义，共模噪声指的是叠加在一个电子信号上的任何不想要的对地或公共点噪声的干扰电压（如图1所示）。与差模噪声一样，共模噪声是从不想要噪声源耦合过来的噪声，耦合方式有阻性耦合、容性耦合以及电磁耦合。从图2看出，零地电压属于共模噪声中的一种，通常是指在一条典型的交流电源线的中线端和接地端之间可测量的干扰电压。这是零地共模噪声标准的定义。另外，共模噪声还可在火线和接地端之间被测量出来，本文不作讨论。
图1 Tektronix示波器捕获到的噪声
图2 三线交流导线（差模与共模示意图）
数据中心低压供电TN-S接地系统
一般而言，我国数据中心380V低压供电接地系统为TN-S系统，零线与地线在供电变压器的输出次级处相连，如图3所示。从380V低压变压器次级引出5根线，即3根火线外加零线、地线各1根到电源设备，再由电源设备给用电设备供电。
图3 低电供电系统中TN-S接地系统示意图
从供电变压器到电源设备，以及从电源设备到用电IT设备的配电部分在电路上等效为以电阻、电感和电容组成的电抗。为了分析零地电压的产生机理，图4画出了从变压器到电源设备及IT设备的零线和地线的电路模型(m代表IT设备前端电源设备)，用于电路分析。如图4所示，零线电阻由RN1，RN2直到RNm和RN组成；零线电感由LN1、LN2直到LNm和LN组成；地线电阻由RG1、RG2直到RGm和RG组成；地线电感由LG1、LG2直到LGm和LG组成；零线与火线之间存在寄生电容，分别用C1、C2直到Cm组成。电源设备中的Cm是电源设备EMC滤波电容，IT设备中的CIT是IT设备EMC滤波电容。
图4 配电线路的电路模型
根据IEEE1100描述，低零线阻抗可以减小零地电压和共模噪声，图4中IT设备零线电流I主要由负载三相不平衡原因和负载非线性电源原因产生。如图4所示，IT设备零线电流I的绝大部分从零线流回到输入变压器，有很少一部分从寄生电容中通过地线流回变压器，分别是I1、I2和Im。这些电流流过导线要产生电压，图4中各点对变压器端接地的电压值分别为
Vn1、Vn2…VN、VG1、VG2、…VG。
由图4可见，通常在IT设备处测得的IT设备输入零地电压是VNG=VN-VG
如果先不考虑零线与地线之间的寄生电容，并忽略IT设备中EMC滤波电容的影响，那么根据下列IEEE11006.4.1.1.6对地线的定义，地线目的是提供一个0V参考点，地线电流为零，再考虑多点接地，那么VG=0，因此IT设备输入零地电压是
VNG=VN-VG=VN-0=VN=In1*RN1+In2*RN2+…+Inm*RNm+I*RN+In1*jωLN1+In2*jωLN2+...+Inm*jωLNm+I*jωLN
其中电阻RNx以及电感LNx等与电缆的长度、线径和材料有关。
从该公式可以看到，零地电压的形成与输入配电电缆有很大的关系。同时零线中电流的大小和频率也影响着零地电压。电缆越长，线径越细，导电性能越差，零线中的电流越大，电流频率越高，零地电压就越大。
零地电压共模噪声的危害
回顾一下共模噪声及其产生会数据干扰的定义:根据下列美国军方标准MIL-HDBK-419AStandard定义，共模噪声指的是叠加在一个电子信号上的任何不想要的对地或公共点噪声干扰电压，和差模噪声一样，共模噪声是从不想要噪声源耦合过来的噪声，耦合方式有阻性耦合，容性耦合以及电磁耦合。尽管共模噪声不是一个噪声源，但该共模噪声干扰电压必须在数据设备放大器中小心设计以防止其对电子信号元器件的干扰。
以下重点介绍由于零地电压作用在零线与地线之间的寄生电容，以及作用在电源和负载设备零地之间EMC滤波电容Cm和C上所产生的高频耦合循环电流回路共模噪声对IT负载数据的影响。如图4所示，即使设备多点接地，但由于Cm和C这些电容搭桥存在，在零地电压VNG作用下，根据美国军方标准MIL-HDBK-419A Standard容性耦合方式，将形成一个高频耦合循环电流回路，从而产生如图5中IT计算机设备零地共模噪声干扰电压波形。
图5 零地共模噪声干扰电压干扰数据流
评论表单加载中...
