7月23日消息，韩国第二大芯片制造商SK海力士发布财报称，第二季度净利润增长逾一倍，从上年同期的5370.3亿韩元增至1.264万亿韩元(约合10.6亿美元)，超过市场预期，得益于存储芯片需求和价格的稳健。

　　营收增长33%，至8.607万亿韩元。营业利润增长逾两倍，至1.947万亿韩元。SK海力士表示，疫情期间数据服务器中使用的内存芯片的强劲需求抵消了移动设备芯片需求的疲软。

　　SK海力士表示，有望将其应用于Exascale超级计算机(一种高性能计算系统，每秒可以执行五百亿次计算)，它将引领下一代基础和应用科学的研究，例如气候变化，生物军医和太空探索。

　　SK海力士执行副总裁兼首席营销官(JMO)JonghoonOh说：“SK海力士一直走在技术创新的最前沿，为人类文明做出了贡献，取得了包括世界上第一个HBM产品开发在内的成就。”“随着HBM2E的大规模量产，我们将继续加强我们在高端存储器市场的影响力，并领导第四次工业革命。”

　　7月21日消息，SK海力士正计划在M16工厂引入EUV光刻机。在进入20nm节点之后，内存工业也面临着CPU工艺一样的制造难题，微缩越来越困难，制造工艺复杂，导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了EUV光刻机，内存很快也要跟进了，SK海力士计划在韩国M16工厂引入EUV工艺。

　　与目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。

　　内存用上EUV工艺之后，内存颗粒的制造成本理论上是会下降的，这也为内存降价奠定基础，不过EUV初期来说就很了，因为EUV光刻机售价将近10亿元人民币，新建EUV产线的成本是非常高的，需要时间消化。

　　据韩国媒体报道，SK海力士已经成立了专门的研究小组攻克EUV工艺，从去年就开始投资EUV中可能用到的TF材料，相关研究由副总裁郑泰佑负责，他是蚀刻技术的专家，曾参与SK海力士首个10nmDRAM“Arius”的开发项目以及下一代NAND闪存的研发。

　　SK海力士也在推进建设EUVDRAM内存生产线的建设，预计在韩国利川市的M16工厂中开始引入。

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　　责任编辑:张华