5月31日消息，SK海力士宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司（Intel®）开始了“英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data CenterCertified memory program）”。此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台（ Intel® Xeon® Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品相比，数据处理速度提升了33%。

另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。

SK海力士强调：“通过1b技术的研发成功，将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。”

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道：“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4thGen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证，此次1bDDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”

金副社长又说到：“有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善，公司将以1b工艺量产等业界最高的DRAM竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的1b工艺扩大适用于LPDDR5T和HBM3E产品。”

另外，SK海力士表示，为了将已完成一轮兼容性验证的1a DDR5DRAM适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。

责任编辑：Cherry