摘要:新一代高性能三相双转换式UPS采用了最新的六单元IGBT技术。文中介绍了该技术可以提供的各种可行性。深入分析其它技术的选择方案。这些技术是以最佳方式使用这些元器件并发挥其优越性。文章介绍这些技术在一个全新UPS系列上的实用性能。 |
六单元IGBT的特性是专门为UPS的要求而设计的,从而优化了IGBT进而优化了UPS的运行。
六单元IGBT装配在共用基座上的单个外壳中。芯片背面采用特殊工艺焊接到一个绝缘基片的金属表面上。该DCB(氧化铝直接铜焊技术)陶瓷基片同时兼备绝佳的电气绝缘性和导热性。
六单元IGBT在一个3mm基座上使用了17mm的平面模块(而非旧式的32mm模块)。并采用横向连接,“+”(正极)和“-”(负极)均在同一侧,而三相极在另一侧,从而便于连接和摆放。将驱动器安装在模块的顶部,使连接很短,非常有助于优化电磁兼容性。平板模块的外壳见图3。
热耗散是与制造商合作过程中对芯片和外壳热图进行深入研究的重要课题,旨在优化散热装置的效率。
(3)技术优势
六单元技术具备以下优势:
·由于减少了元件数量,并将控制卡直接焊接到六单元上(无需电缆和接线),因此与传统的IGBT相比,整流器和逆变器的可靠性显著提高(基于运行测试);
·与同等的额定功率相比,具有极高的紧凑性,因而增加了空间,提高了可及性和可维护性,并相应减小了占地面积;
·由于将诸多功能(PFC、逆变器、静态接触器等)更紧密地结合在一起,减小了导线的电感,因此提高了EMC等级;
·IGBT的直接热控制(见图4)。