摘要：日前，英特尔公司和美国美光公司宣布生产一种新型非易失性存储器，其存储速度比NAND闪存的存储速度提高了1000倍。

   日前，英特尔公司和美国美光公司宣布生产一种新型非易失性存储器，其存储速度比NAND闪存的存储速度提高了1000倍。
　　
　　英特尔公司表示，新的3DXPOINT（交叉点）技术是采用独特的化合物材料和交叉点架构，以使其不仅是在存储速度上得到了高速增长，还比NAND提高了1000倍的耐力。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。
　　
　　新芯片将由在犹他州英特尔微米闪存技术实验室生产，这是2006年成立的一家合资企业。经过超过十年的研究和发展，英特尔公司表示，新的非易失性存储器引进了一种新的3DXPOINT技术，大大降低了延迟，并允许存储更多的数据,提高了访问速度，这在以前是不可能实现的。去年IMFT推出多款新产品，其中包括去年春天推出的全新3DNAND闪存产品。
　　
　　这项技术的创新点在于在于两个三维交叉点架构和使用散装材料特性变化来存储数据中心，而不是采用电荷来存储数据，它使用整个存储器单元尺寸更小。这种晶体管的方法不同于其他的3DNAND采用浮栅的方法。
　　
　　1989年推出的NAND闪存是当时第一款存储创新产品，英特尔公司表示，3DXPOINT技术与现在的内存技术不是同一种类。英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储器解决方案罗布•克鲁克总经理在一份声明中表示，该技术将推进“使我们的大规模计算技术更进一步。”英特尔会将3DXPOINT技术采用在内存和存储产品中。“当我们扩展的处理性能提高时，内存和数据存储技术就可以用3DXPOINT技术进行扩展。”克鲁克补充道。
　　
　　“现代计算的一个最主要的障碍是处理器访问长期存储的数据所需的时间，”美光科技有限公司总裁马克•亚当斯在一份声明中说。“这个新的非易失性存储器是一种革命性的技术，其允许快速访问大量的数据集，并能够完全适用于新的应用程序。”
　　
　　3DXPoint技术诞生于十多年间的研究与开发。该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求。它开创了一种可显著降低延迟的新型非易失性存储器，使得在靠近处理器的位置存储更多数据成为可能，并以此前的非易失性存储无法达到的速度来访问更多数据。
　　
　　基于更少晶体管数量构建的创新型交叉点架构建立了一个存储单元位于字线和位线交叉点的“三维棋盘”，以支持对单个存储单元的独立访问。基于这个架构的存储器，数据可以作为更小的片段进行写入和读取，从而实现更快速、更高效的读取/写入操作。
　　
　　这项新技术的潜在应用前景巨大，英特尔公司和美光公司还表示，他们正在开发基于3DXPOINT技术个人存储产品。
　　
　　编辑：Harris