12月18日消息，据国外媒体报道，三星计划投资80亿美元，来扩建其位于西安的3D NAND芯片工厂，以提高NAND闪存芯片的产量。

　　这80亿美元的投资，是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资，将用于第三次扩建工厂。

　　三星西安芯片工厂的扩建将使其进一步增加3D NAND的产量。目前，该工厂每月可加工12万片晶圆，扩建后将开始每月加工13万片晶圆。

　　目前，三星尚未正式确认这项80亿美元的投资计划，但该公司今年早些时候表示，将在扩大西安生产设施方面采取“灵活”态度。

　　早在2017年的时候，该公司宣布，计划在未来三年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

　　三星二期项目的总投资为150亿美元，预计于2021年下半年竣工。此前，该公司还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。

　　目前，三星在三个地方生产3D NAND：韩国的华城、平泽和中国的西安。自2014年以来，该公司就一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。最近，该公司在其位于平泽的工厂增加了第二条生产线，预计将于明年投产。

　　从技术层面来说，NAND芯片可永久保存数据，是许多计算和存储设备的一部分，可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。随着物联网、人工智能和虚拟现实市场的蓬勃发展，它的需求预计将稳步增长。

　　在NAND闪存领域，三星与包括韩国SK海力士(SK Hynix)、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。

　　责任编辑:张华