l)UGS俗ID及沟道的控制作用
　　
　　MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前己连接好)。从图1•17可以看出，增强型MOS管的漏极d与源极，之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0时，即使加上漏-源电压UGS=0，而且不论UGS的极性如何，总有一个PN结处于反向偏置状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流;iD≈O。

　　
　　若在栅-源极间加上正向电压，即UGS>0，则栅极和衬底之间的siO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的离子(负离子)形成耗尽层，同时P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当ucs数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现力口图1.17(b)所示。U酪增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当Ugs达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P型衬底表面上形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P型衬底相反，故又称为反型层，如图1.17(c)所示。Ucs越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P型衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用UT表示。
　　
　　由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在Ugs<UT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当Ugs≥UT时，才能形成沟道;此时，在漏-源极间加上正向电压Uds，才能产生漏极电流。而且U佛增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，iD增大。这种必须在Ugs≥UT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。
　　
　　2)Uds对iD的影响
　　
　　如图1.18(a)所示，当UGS>UT且为一个确定值时，漏-源电压UDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。漏极电流iD沿沟道产生的电压降便沟道内各点与栅及M的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚;而漏极一端电压最

　　
　　图1.18UDS对iD的影响过程

　　
　　小，其值为UGD=UGD-UDS，因而这里沟道最薄。但当UDS较小，UDS=(UGS-UT)时，它对沟道的影响不大，这时只要UGS一定，沟道电阻几乎也是一定的，所以iD随UDS近似地呈线性变化。
　　
　　随着UDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当UDS增加到使UGS=UGS-UDS=UT(或UDS=UGS-UT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图1.18(b)所示。再继续增大UDS，夹断点将向源极方向移动，如图1.18(C)所示。由于UDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故iD几乎不随UDS增大而增加，管子进入饱和区，iD几乎仅由UGS决定。

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