1.功率M3SFET的静态特性
　　
　　功率MOSFET的静态特性包括转移特性和输出特性，如图1.19所示。

　　
　　图1.19功率MOSFET的静态特性

　　
　　漏极电流iD和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，iD较大时，iD与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GFS。
　　
　　2.功率帐MOFET的漏极伏安特性
　　
　　功率MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区对应于GTR的截止区，饱和区对应于GTR的放大区，非饱和区对应于GTR的饱和区。功率MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。功率MOSFET的漏-源极之间有寄生二极管，漏-源极间加反向电压时，器件导通。功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数，有利于器件并联时的均流。
　　
　　3.功率WDSFET的动态特性
　　
　　功率MOSFET的动态特性的测试电路和开关过程波形，如图1.20所示。它的开通过程包括下面5个阶段。
　　
　　(1)开通延迟时间td(on)一一脉冲前沿时刻到uGS=UT且开始出现iD的时刻间的叶间段。
　　
　　(2)上升时间tr一一UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压Ugsp的时间段。iD稳态值由漏极电源电压U"和漏极负载电阻决定。Ugsp的大小与iD的稳态值有关,UGS俗达到UGSP后，在脉冲作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。
　　
　　(3)开通时间ton一一开通延迟时间与上升时间之和。
　　
　　关断延迟时间td(off)一一脉冲下降到零起，Cin通过RS和RG放电，UGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小的时间段。
　　
　　(4)下降时间tf一一uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到UGS<UT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段。
　　
　　(5)关断时间toff一一关断延迟时间和下降时间之和。

　　
　　图1.20功率MOSFET的动态特性测试电路和开关过程波形

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