②电压上升率du/dt的抑制。加在晶闸管上的正向电压上升率du/dt也应有所限制,如果du/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时会引起晶闸管误导通。为抑制du/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路,如图12所示。

　　3.5 晶闸管损坏原因判别

　　(1)电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用放大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　(2)电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置远离门极。