| 摘要：现在先来看一下认为“不可靠”的意见。其中大多是系统与电路设计问题，原则上不难解决。最根本性的“要害问题”是提出了IGBT器件耐过载时间是20μs，而SCR的耐过载时间是20ms，相差1000倍，因此“不可靠”。更严重的问题是“高频整流的储能升压有更严重的材料根本性极限问题”！这些问题是对于深刻理解这一革新是十分有意义的。 |
晶体管-铁氧体高频储能器的起源DC-DC变流器
磁芯储能方案：根据变压器与电感器两者等效的升压与储能器原理图。变压器升压与储能用在BT晶体管的DC-DC变流器，电感器升压与储能用在IGBT的SPWM换流器，其升压与储能机制，对磁性材料的要求与物理机制是完全一样的。
本节列举笔者在1959-1984年间对各种DC-DC变流器直流高压电源，其中的高频储能升压变压器与电感的各种实践案例。
高频阻塞震荡型Blocking-Boost储能升DC-DC变流器的原理见式（4.3），当电路断开时，感应电动势Ve就叠加在电源电压上，就是高频电感储能升压Boost模式的变流的原理。
1） Blocking-Boost自激励高频储能式DC-DC变流：图6.1晶体管集电极回路中的线圈与基极回路的线圈耦合形成自激励阻塞振荡器。集电极回路在振荡中的导通期间储能，在基极反馈阻塞期间，集电极回路所储的磁能量由向次级向整流回路释放。
2） 2）Blocking-Boost自激励高频储能倍压式DC-DC变流：其原理与上节完全一样。
3)三菱电机第3代IGBT-SPWM采用升压整流的Boost模式整流的原理如图6.5所示。
图6.5中的Vs是输入交流电压，VR是串接电感电压，显然，其高频储能变流的原理与BlockingBoost的DC-DC变流器的储能原理是异曲同工的，高频不是自激励的Blocking振荡器，而是外触发激励的。
（未完待续）
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