摘要:IGBT(绝缘栅双极晶体管)正是顺应这种要求而开发的,它是一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高压、大电流处理能力的新型元件,将有更大的发展潜力。 |
①短路模式及发生原因分析
·器件短路,如图9所示。原因:晶体管或二极管损坏。
·串联支路短路,如图10所示。原因:控制电路、驱动电路的故障或由于杂波产生的误动作。
责任编辑:Adah
摘要:IGBT(绝缘栅双极晶体管)正是顺应这种要求而开发的,它是一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高压、大电流处理能力的新型元件,将有更大的发展潜力。 |
①短路模式及发生原因分析
·器件短路,如图9所示。原因:晶体管或二极管损坏。
·串联支路短路,如图10所示。原因:控制电路、驱动电路的故障或由于杂波产生的误动作。
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