(1)采用难以产生“电性栓锁现象”的构造(降低图5中基极-发射极间的电阻);

　　(2)通过优化n缓冲层的厚度和不纯物浓度来控制pnp晶体管的hFE;

　　(3)通过导入降低寿命的因素来控制pnp晶体管的hFE;

　　通过以上的技术,IGBT在能够维持充分保护过电流(短路)的最大耐受量的基础上,实现了高速交换、高耐压、大容量化,同时得到了产品化。

　　(5)限制过电流功能

　　在IGBT的实际使用上,由于装置的短路事故等原因,会出现IGBT上有过电流流过的情况。一旦这种过电流持续流过,元件自身的温度急剧上升,从而形成永久性的破坏。通常情况,从这种过电流开始流过到造成破坏的时间用“短路最大耐受量”来表示。另外,过电流越小,相对应的短路最大耐受量就变得越高(长)。IGBT方面的设计,已经设定成IGBT自身能限制几倍于额定电流的短路事故时的过电流,从而实现了在检测出过电流后能够加以充分保护的高短路最大耐受量。