摘要:IGBT(绝缘栅双极晶体管)正是顺应这种要求而开发的,它是一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高压、大电流处理能力的新型元件,将有更大的发展潜力。 |
IGBT模块基本上以1in1、2in1、6in1及PIM(7in1)这4种形式存在的,分别构成表中所述的电路。
2 IGBT应用中的注意事项
(1)IGBT模块的选定
使用IGBT模块时,需要考虑适宜选择何种额定电压、额定电流的IGBT模块。
①额定电压
IGBT模块的额定电压与适用装置的输入电源有密切的关系。这种关系用表2表示,参考此表来选择相应的元件。
②额定电流
IGBT模块的集电极电流变大时,UGE(sat)上升,发生的稳态损耗就变大。另外,交换损耗也同时增大从而使元件的发热增加。由于需要将使IGBT、FWD的结温控制在Tj≤150℃(从安全角度而言通常控制在125℃以下)使用,因此选定IGBT模块的额定电流非常重要。一旦选错,将导致元件破坏或招致长期性的可靠性降低。另外,在高频交换用途中,随交换损耗的增大(交换的次数越多,综合的交换损耗也越大),发热也会增大。作为大体标准,一般在装置的最大电流值元件的额定电流的情况下使用。另外,表3中也列举了IGBT模块的应用实例。
(2)静电对策与门极保护
IGBT模块的UGE保证值一般最大为±20V。在IGBT的G-E间外加超过UGES保证值的电压时,IGBT的门极就有损坏的危险。所以不要在G-E间外加超出保证值的电压。特别注意IGBT的门极对静电等非常敏感,因此在使用时一般要遵守以下几点: