摘要:IGBT(绝缘栅双极晶体管)正是顺应这种要求而开发的,它是一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高压、大电流处理能力的新型元件,将有更大的发展潜力。 |
(6)IGBT模块的构造
图6、7显示了具有代表性的IGBT模块的构造。图6中表示的端子台一体构造模块,是通过采用外壳与外部电极端子的一体成型构造,达到减少部件数量和减低内部配线电感的目的。另外,通过采用DCB(Direct Copper Bonding)基板,得到了低热阻和高抗折强度的高可靠性产品。图7表示的引线端子连接构造模块,并不是通过锡焊使主端子与DCB基板相连的,而是采用引线连接的构造。由此达到封装构造的很简易化、小型化、超薄化、轻量化和削减组装工作的目的。
表1中列出了IGBT模块的电路构造实例。