如上所述,IGBT和功率MOSFET一样,通过电压信号可以控制开通和关断动作。

　　(2)耐高压、大容量

　　IGBT和功率MOSFET同样,虽然在门极上外加正电压即可导通,但是由于通过在漏极上追加p+层,在导通状态下从p+层向n基极注入空穴,从而引发传导性能的转变,因此它与功率MOSFET相比,可以得到极低的通态电阻。

　　下面对通过IGBT可以得到低通态电压的原理进行简单说明。

　　如图1所示,功率MOSFET是通过在门极上外加正电压,使p基极层形成沟道,从而进入导通状态的。此时,由于n发射极(源极)层和n基极层以沟道为媒介而导通,MOSFET的漏极—源极之间形成了单一的半导体(如图1中的n型)。它的电特性也就成了单纯的电阻。该电阻越低,通态电压也就变得越低。但是,在MOSFET进行耐高压化的同时,n基极层需要加厚(n基极层的作用是在阻断状态下,维持漏极—源极之间所外加的电压。因此,需要维持的电压越高,该层就越厚)。元件的耐压性能越高,漏极—源极之间的电阻也就越大。正因为如此,高耐压的功率MOSFET的通态电阻变大,无法使大量的电流顺利通过,因此实现大容量化非常困难。