摘要:IGBT(绝缘栅双极晶体管)正是顺应这种要求而开发的,它是一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高压、大电流处理能力的新型元件,将有更大的发展潜力。 |
①使用模块时,先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻(1MΩ左右)接地线放电后,再在接地的导电性垫板上进行操作。
②使用IGBT模块时,要拿封装主体,不要直接触碰端子(特别是控制端子)部分。
③对IGBT端子进行锡焊作业的时候,为了避免由烙铁、烙铁焊台的泄漏产生的静电外加到IGBT上,烙铁前端等要用十分低的电阻接地。
④IGBT模块是在用IC泡沫等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的。这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。
另外,在门极-发射极间开放的状态下,集电极-发射极间施加电压时,IGBT有可能受损。这是由于集电极电势的变化,如图8所示引起电流i流过,门极电势上升,IGBT开通,集电极电流流过,从而使IGBT发热甚至有受损的可能性。
产品装入装置时,在门极电路故障或者门极电路不能正常工作的状态下(门极开放的状态),主电路外加电压时,也会由于以上理由使IGBT受损。为了防止这种损坏的发生,推荐在门极-发射极间连接10kΩ(RGE)左右的电阻。
(3)保护电路设计
IGBT模块可能由于过流、过电压这类异常情况而受损。因此,在IGBT模块的运用中,设计能够避免异常情况保护元件的保护电路显得尤为重要。这些保护电路需要在充分了解元件特性的基础上,配合元件的特性进行设计。保护电路如果不与元件特性相匹配,那么即使安装了保护电路,元件也可能受损(比如说,在施加了过电流保护时阻断时间很长或者缓冲电路中的电容器电容量很小,从而产生尖峰电压等。)