选用的1200VSiC二极管为裸肖特基二极管。该二极管具备一个p+/p-JTE边缘终止结构和一个钛肖特基势垒。其势垒高度为1.27eV,可确保接近基于硅的PIN二极管的阈值电压。每个独立芯片的额定电流高达15A。通过将多个芯片并联,可获得续流二极管所需的额定电流。这些都可轻松实现,因为这些器件都具备正温度系数。每个IGBT芯片使用的二极管的总额定电流为IGBT标称额定电流的60%,主要归功于这些二极管具备出色的开关和热性能。

　　图2显示的是与英飞凌IGBT芯片(基于IGBT2技术的S4芯片)结合使用的SiC肖特基二极管的典型开关特性。

　　由于SiC肖特基二极管缺少反向恢复电荷,因此可大幅降低IGBT的栅极导通电阻,从而降低开通损耗(采用0.5Ω的电阻)。相对于基于硅的续流二极管,反向恢复电流被大幅降低。该模块的典型开关损耗如图3所示。

　　通过降低SiC续流二极管的开通损耗,可提高转换器系统的效率或输出功率。这对于将效率视为重中之重的用户而言极具吸引力(例如太阳能应用),但效率并不是采用SiC续流二极管的唯一优势。采用SiC续流二极管,通过降低开通损耗,还可以提高开关频率。因此选用很小的输出滤波器可降低系统体积和成本。