2 SiC JFET功率模块

　　如果该开关的阻断电压超过1000V,基于硅MOSFET的开通性能就会大幅下降。对于阻断电压高于1000V的开关而言,IGBT是一个不错的选择。但由于关断时存在拖尾电流,因此开关损耗具备一定的物理限值。对以较低的导通损耗实现更快开关的需求,推动新型SiC开关不断发展,从而诞生了SiC结型场效应晶体管(JFET)。

　　搭载SiC JFET开关的功率模块的第一个原型是采用H桥配置的EasyPACKTM 2B模块。图4和图5显示该模块的电路图和DBC版图。

　　英飞凌的SiC JFET是通常情况下处于导通状态的组件,其关断电压约为-15V,与标准的应用兼容。将一个40V的低压Si-MOSFET(OptiMOSTM)与1200V SiC JFET串联,可作为通常情况下处于断开状态的开关(级联配置)使用。该模块的每个开关包含6个并联的SiC JFET,可获得约70mΩ的总导通电阻。

　　图6显示采用级联配置,与低压OptiMOSTM2结合使用的SiC JFET的静态特性。