| 摘要：近年来,市场上开始涌现出各种SiC(碳化硅)分立器件。文中介绍和论述了功率模块的SiC二极管和开关的应用,并将其与基于硅材料的功率模块进行比较。尽管SiC开关具备极低的整体动态损耗,但由于缺乏传导调制和芯片尺寸限制(由于SiC基材价格仍居高不下),仍有较高的静态损耗。各种1200V配置取决于频率的总损耗,这表明包含SiC开关的模块性能将在超过20kHz的应用中优于其他方案。 |
(1)若采用相同的转换器设计,可提高整个系统的效率。可选用更小的散热器或无源制冷系统;
(2)若采用相同的热设计,可提高转换器的输出功率,提高系统的功率密度;
(3)提高开关频率,减小输出滤波器的尺寸,从而降低系统成本。
而首先受益这些优势的应用将是需要高效率(例如太阳能转换器)或包含一个输出滤波器(例如医疗设备或UPS)的产品。长期来看,SiC功率半导体将有望成为下一代功率半导体,必将推动该领域出现新一轮创新大潮。当然,这主要取决于基于碳化硅材料的成本和尺寸的发展情况。
责任编辑：Adah
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