| 摘要：近年来,市场上开始涌现出各种SiC(碳化硅)分立器件。文中介绍和论述了功率模块的SiC二极管和开关的应用,并将其与基于硅材料的功率模块进行比较。尽管SiC开关具备极低的整体动态损耗,但由于缺乏传导调制和芯片尺寸限制(由于SiC基材价格仍居高不下),仍有较高的静态损耗。各种1200V配置取决于频率的总损耗,这表明包含SiC开关的模块性能将在超过20kHz的应用中优于其他方案。 |
将JFET的动态损耗与IGBT模块的动态损耗进行对比,如图9所示。
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